第134章 挖墙角的功夫（三） (2/2)

这些设备都很金贵，想想一台微米级的光刻机价格就是几千万美元，更别讲纳米级的光刻机了。最为重要的是这种设备，刘大少想买也买不到，国外对国内的禁运是一道大门槛。

不过好在根据搜索到的信息看来，国外目前的技术还不是太先进。依据得到的信息——1?ii?处理器，开发代号为dees，并且首次采用了0·25微米制造工艺，在低发热量的情况下提供比以前产品更快的速度。

刘思觉得目前英特尔的半导体制造工艺差不多在0·18微米左右，至多也只是已经突破0·18微米制造工艺，但也不会超过0·15微米的制造工艺。

半导体设备有三大关键设备：光刻机、刻蚀机、化学沉淀设备?。

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。（光刻）意思是用光来制作一个图形（工艺），在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

光刻机有两个难点，看到两个难点刘思有些蛋疼，想了又想，他只好打起了挖墙角的主意，甚至是不计成果的挖墙角：绑架、要挟什么的只要对方不识时务，他一定要对方好看。

两个难点都在对准系统方面：制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望其项背的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊专利的机械工艺设计。对准系统另外一个技术难题就是对准显微镜。为了增强显微镜的视场，许多高端的光刻机，采用了led照明。

世界半导体装备制造主要有三大强国：美国、日本、荷兰。当然德国本身就是高精制造设备方面的专家，在高端光刻机方面也还不错。所以在光刻机技术方面除了其他技术、理论用金手指的搜索成果之外，刘思在高精度对准系统的事情就打算挖美国、日本、荷兰、德国的墙角了。

光刻机按照历史，国内发展也还不错，只是一步落后步步落后，刘思有些等不及的要发展半导体产业了。要知道2012年一年我们国家仅仅芯片进口就花费了1200余亿美元，可谓市场庞大。

光刻机的对准系统主要又有三大核心技术，光刻机工作台、光刻机物镜调装台、光刻机光源系统。

2012年4月份，国家科技部“十五”重大科技专项100纳米高端光刻机研制成功。接下来的三年时间，国家在纳米高端光刻机依旧付出很大，当然收获也还不错。仅仅三年时间，就突破了光刻机技术在90纳米的一个技术台阶，并且迅速的进入下一个65纳米技术台阶；接着又很快速的在2015年出45纳米的并且65纳米光刻机实现产业化。

中国的突破使得国外的技术门槛不存在，关于100纳米、90纳米、65纳米的文献资料总算是公开了来。让刘思对此很是兴奋，要知道如此一来，他更容易找到先进的文献资料，并且以此来吸引一些真正的科研人员加入魅族电子。